多晶硅按不同的用途可分為太陽(yáng)能級多晶硅和電子級多晶硅兩類(lèi)。太陽(yáng)能級多晶硅的純度一般在5～7N，主要雜質(zhì)為Fe、Cr、Ni、Cu、Zn 等，金屬雜質(zhì)總含量≤0.2(太陽(yáng)能三級品要求)。電子級多晶硅一般含Si＞99.9999%以上，超高純達到99.9999999%～99.999999999%，即9～11N，其導電性為10- 4～1010Ω·cm，碳濃度＜2×1016at·cm- 3。

油脂、水分、氯離子殘留、金屬氧化物、氯化物、灰塵及其他雜質(zhì)，對多晶硅的純度影響極大。在多晶硅設備制造、安裝和多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中清洗是十分重要的部分，要按多晶硅生產(chǎn)工藝，對不同潔凈度要求、不同材質(zhì)的設備采用不同的清洗方法。'
 
多晶硅設備的清洗的不同階段：

1、設備制造階段的清洗

金屬設備及管道、零件需要在除漆前將表面的氧化皮和鐵銹除掉，設備內部的油脂、軋制鱗片、銹皮等也需要進(jìn)行清洗。

2、多晶硅設備安裝階段的清潔

由于工藝管道輸送的介質(zhì)特性及產(chǎn)品純度要求，對管道的焊接質(zhì)量及內部清潔、吹掃試壓均有較高要求，對設備進(jìn)場(chǎng)驗收、檢驗及安裝、內部處理也有較高要求，因此設備制造結束后的清洗處理至關(guān)重要。在裝置進(jìn)行試生產(chǎn)前期，系統注入四氯化硅進(jìn)行循環(huán)清洗約2～3個(gè)月，時(shí)間的長(cháng)短取決于設備前期清洗情況。

3、多晶硅設備生產(chǎn)期間的清洗

還原爐和氫化爐是改良西門(mén)子法生產(chǎn)多晶硅的核心設備，其運行好壞直接影響多晶硅質(zhì)量及生產(chǎn)成本。多晶硅生產(chǎn)對還原爐的沉積環(huán)境的潔凈度要求特別關(guān)鍵，任何顆粒性雜質(zhì)、油脂等物質(zhì)余留在爐內，都會(huì )對產(chǎn)品質(zhì)量造成影響。北京德高潔清潔設備有限公司經(jīng)過(guò)研發(fā)設計并制造出了多晶硅自動(dòng)化還原爐鐘罩清洗系統，可以完全將多晶硅還原爐鐘罩清洗干凈，滿(mǎn)足生產(chǎn)需求。

德高潔電子級多晶硅還原爐鐘罩清洗系統包括低壓熱水清洗動(dòng)力裝置、三維洗罐器、旋轉和升降執行機構、清洗工作臺、萬(wàn)級凈化干燥系統、循環(huán)過(guò)濾系統、控制裝置、微負壓系統、清洗工作臺、電氣控制系統等，系統實(shí)現了鐘罩的全自動(dòng)清洗和烘干操作。
 
電子級多晶硅還原爐鐘罩自動(dòng)清洗系統特點(diǎn)：以水力自驅動(dòng)三維洗罐器為噴頭，形成360° 3D形式的網(wǎng)狀噴射來(lái)完成爐筒內部表面的水力掃射。配以旋轉和升降的清洗吹干執行機構，準確定位。操作簡(jiǎn)單方便，系統控制，清洗、吹干自行調整。不僅可以滿(mǎn)足對內壁和視孔鏡的清洗，同時(shí)也滿(mǎn)足了底部法蘭的清洗。

在整個(gè)還原爐的清洗過(guò)程中，清洗、干燥中筒內形成微負壓狀態(tài)，防止清洗外溢，同時(shí)將底座與筒體下法蘭處的污染物等一并吹掃，通過(guò)排污管排出，從而保證了整個(gè)過(guò)程不會(huì )對潔凈區造成污染。

生產(chǎn)多晶硅的工藝復雜，設備清洗是可以降低能耗保證多晶硅產(chǎn)品質(zhì)量的。多晶硅生產(chǎn)企業(yè)對設備須從選型、選材、清洗等方面進(jìn)行合理、科學(xué)的管理，應用現代技術(shù)，進(jìn)行全程清洗，以充分發(fā)揮設備功效，為安全、高效生產(chǎn)創(chuàng )造條件。